基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

• 作者: 仇应华 冯军 夏春晓 朱恩 熊明珍 王志功
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 共面波导 容性耦合差动电流放大器 砷化镓
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 556-559
• 页数: 4页
• 分类号: TN75
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.032

摘要

利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	夏春晓	东南大学射频与光电集成电路研究所	14	82	5.0	8.0
3	朱恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	64	419	9.0	16.0
4	冯军	东南大学射频与光电集成电路研究所	77	348	9.0	12.0
5	熊明珍	东南大学射频与光电集成电路研究所	40	321	10.0	15.0
6	仇应华	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	14	3.0	3.0