半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

• 作者: 孙文荣 李成基 段满龙 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 524-529
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.026

摘要

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
3	段满龙	中国科学院半导体研究所	11	95	5.0	9.0
4	孙文荣	中国科学院半导体研究所	7	36	4.0	6.0
5	李成基	中国科学院半导体研究所	5	4	1.0	2.0