高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现

• 作者: 李拂晓 王会智
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 GaAs 数字衰减器 MESFET
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1125-1128
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.035

摘要

介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗＜5dB;最大衰减量＞31dB;两端口所有态的电压驻波比＜1.5;所有态衰减精度＜±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李拂晓		60	352	10.0	14.0
2	王会智		2	28	2.0	2.0