GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

• 作者: 修向前 刘成祥 刘斌 张荣 李亮 谢自力 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 六方相InN MOCVD GaN缓冲层
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.024

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质.通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.