高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

• 作者: 徐运华 汤英文 游达 许金通 赵德刚 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-i-n AlGaN 量子效率 响应光谱
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 896-899
• 页数: 4页
• 分类号: TN23
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.025

摘要

研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0