沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

• 作者: 刘晓彦 吴涛 康晋锋 杜刚 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 应力 深亚微米 形变势垒模型
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 415-418
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.103

摘要

利用ISE DESSIS器件模拟工具,模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴涛	北京大学微电子学系	102	676	13.0	21.0
2	刘晓彦	北京大学微电子学系	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子学系	38	261	10.0	14.0
4	康晋锋	北京大学微电子学系	23	358	9.0	18.0
5	杜刚	北京大学微电子学系	15	56	5.0	7.0