两种势下的Si(100)表面重构及二聚体形成过程的分子动力学模拟

• 作者: 杨宇 陈立桥
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 分子动力学模拟 表面重构 二聚体
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1634-1637,1642
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 4348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.10.035

摘要

分别采用Tersoff势与S-W势对不同温度下Si(100)面重构情况进行分子动力学模拟,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围,进而采用S-W势对几种典型情况进行模拟研究.结果发现,二聚体形成前后的温度、内能会出现明显变化,高温时重构速度快但效果较差且不稳定,会形成吸附单体.原子间距为0.33nm左右是二聚体形成的关键距离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	陈立桥	云南大学材料科学与工程系	2	5	1.0	2.0