氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

• 作者: 乔保卫 冯洁 凌云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 赖云锋 陈邦明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 相变存储器 多态存储 N掺杂 Ge2Sb2Te5
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4347-4352
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.095

摘要

通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(N-GST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5 (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.