掺氮6H-SiC单晶的电阻率、迁移率及自由载流子浓度

• 作者: 何秀坤 施亚申 曹全喜 杨晶晶
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自由载流子浓度 FCCS 施主 受主 补偿度 分布函数
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 530-535
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.027

摘要

测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补偿度对低温下SiC的电性能有很大影响,轻度补偿的掺氮6H-SiC是施主氮的两个能级共同起作用;而重度补偿的6H-SiC在低温时则是受主能级起作用,并且后者迁移率随温度变化曲线的峰值降低并右移.同时发现重度补偿的SiC在较低温度时由n型转变成了p型,并从理论上分析了产生这种现象的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜		92	638	13.0	21.0
2	杨晶晶		1	0	0.0	0.0
3	何秀坤		1	0	0.0	0.0
4	施亚申		1	0	0.0	0.0