磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺

• 作者: 刘亮 刘训春 和致经 尹军舰 张海英 李海鸥 李潇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 高电子迁移率晶体管 欧姆接触 合金 传输线模型
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1970-1973
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.016

摘要

针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
4	李潇	中国科学院微电子研究所	23	130	7.0	10.0
5	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
6	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
7	李海鸥	中国科学院微电子研究所	6	22	3.0	4.0