射频LDMOS电容特性研究

• 作者: 冯辉 李德昌 许晟瑞 郝跃
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: LDMOS 电容 ISE 喙栅结构
• 年，卷（期）: 2006,（19）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.19.013

摘要

射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件,LDMOS的栅漏电容Cgd是决定截至频率的主要因素,研究他对射频LDMOS的设计具有重要的意义.通过使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了射频LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgd和漏源电压Vgs的关系;分析得到LDMOS独特电容特性的原因;得出了栅氧化层厚度、漂移区浓度、沟道区浓度参数对Cgd的影响,并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	李德昌	西安电子科技大学技术物理学院	20	82	6.0	7.0
3	冯辉	西安电子科技大学微电子学院	10	70	6.0	8.0
4	许晟瑞	西安电子科技大学技术物理学院	6	24	3.0	4.0