二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

• 作者: 何秀丽 李建平 王利霞 高晓光
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2846-2851
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 4805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.032

摘要

针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100-300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanical systems,简称为MEMS)工艺有很好的兼容性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	251	4235	35.0	54.0
2	何秀丽	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	83	492	10.0	19.0
3	高晓光	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	52	248	9.0	13.0
4	王利霞	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	2	46	1.0	2.0