超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路

• 作者: 余宁梅 杨媛 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 门延迟 动态功耗 漏电流功耗
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1686-1689
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.035

摘要

分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用"放大"的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到超深亚微米工艺下门延迟波动特性曲线.电路在90nm CMOS工艺下进行了流片制作,得到了90nm CMOS工艺下的单位门延迟波动特性曲线.测得延迟的波动范围为78.6%,动态功耗的波动范围为94.0%,漏电流功耗的波动范围为19.5倍,其中以漏电流功耗的波动性最为严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0
3	余宁梅	西安理工大学电子工程系	97	476	11.0	15.0