HgCdTe外延材料的缺陷腐蚀特性

• 作者: 曹秀亮 杨建荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 位错 腐蚀坑 Schaake Chen HgCdTe
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1401-1405
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.013

摘要

通过对Schaake和Chen腐蚀剂在HgCdTe外延材料(111)B面腐蚀坑特性的研究,揭示了HgCdTe液相外延材料中的缺陷特征及其密度分布规律.深度腐蚀实验显示外延材料中确实存在着通常认为的具有定向穿越特性的穿越位错.将两种腐蚀剂作用于同一样品后发现,Schaake和Chen腐蚀剂形成的具有穿越特性的腐蚀坑有一一对应的关系.除了穿越位错外,在两种腐蚀方法揭示出的腐蚀坑中都还存在着一种不具备穿越特性的腐蚀坑,两者在密度分布以及界面处密度增值方面具有相同的特性,但前者在宏观缺陷附近密度出现明显的增值,而后者则没有出现类似的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹秀亮	中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心	2	6	1.0	2.0
2	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心	38	175	7.0	11.0