带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

• 作者: 刘新宇 刘训春 孙浩 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 钱鹤 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP/InGaAs 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1431-1435
• 页数: 5页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.019

摘要

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.