p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

• 作者: 刘维峰 常玉春 徐艺滨 杜国同 杨天鹏 梁红伟 王新胜
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO薄膜 p型掺杂 第一性原理 MOCVD MBE
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 本期专题:半导体与器件
• 页码范围: 104-108
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 4853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.01.028

摘要

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常玉春	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	18	85	5.0	8.0
5	梁红伟	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	21	81	6.0	8.0
6	刘维峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	100	6.0	8.0
7	杨天鹏	吉林大学电子工程学院	3	52	2.0	3.0
8	徐艺滨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	52	2.0	3.0
9	王新胜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	52	2.0	3.0