InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响

• 作者: 于彤军 康香宁 张国义 杨志坚 秦志新 胡晓东 陈志忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光谱 InGaN AlGaN 多量子阱 应变
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.005

摘要

对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.