n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性

• 作者: 张波 李泽宏 李肇基 王一鸣 王小松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PSOI n埋层 射频功率LDMOS 输出特性
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1269-1273
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.1
• 字数: 1918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.023

摘要

提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	李泽宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	32	111	6.0	8.0
4	王一鸣	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	23	4.0	4.0
5	王小松	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	18	3.0	3.0