提高ZnO变阻器电性能的研究

• 作者: 姚政 祝铭 翟维琴 郑嘹赢 金继华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO变阻器 残压比 高阻层 通流容量 振动磨 行星磨
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1758-1761,1764
• 页数: 5页
• 分类号: TM5
• 字数: 4010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.11.022

摘要

ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用.本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂.并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流冲击等电性能有了大幅度的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝铭		6	67	5.0	6.0
2	姚政		10	76	6.0	8.0
3	翟维琴		5	40	3.0	5.0
4	郑嘹赢	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	109	6.0	10.0
5	金继华		2	11	2.0	2.0