工作在动态阈值MOS的特性研究

• 作者: 石立春
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 动态阈值 工作特性 MOSFET 栅极
• 年，卷（期）: 2006,（23）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 127-128,130
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.23.047

摘要

通过将衬底和栅极连接在一起实现了MOSFET的动态阈值,DTMOS与标准的MOSFET相比具有更高的迁移率,在栅极电压升高时DTMOS阈值电压会随之降低,从而获得了比标准的MOSFET大的电流驱动能力.DTMOS是实现低电压、低功耗的一种有效手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石立春		3	14	2.0	3.0