半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

• 作者: 杨俊 王博 苗杉杉 董志远 赵有文 邓爱红
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 铁激活 退火 半绝缘
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1934-1939
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 5334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.009

摘要

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理学院应用物理系	26	66	5.0	6.0
2	王博	四川大学物理学院应用物理系	34	142	7.0	11.0
3	杨俊	四川大学物理学院应用物理系	29	94	6.0	8.0
4	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
5	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
6	苗杉杉	四川大学物理学院应用物理系	4	24	3.0	4.0