氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: a-C:F 退火 化学结构 电学性能 XPS
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1081-1083
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.07.021

摘要

采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1～3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	吴振宇		2	1	1.0	1.0
3	汪家友		2	1	1.0	1.0