微处理器静电电磁脉冲辐照效应试验研究

• 作者: 臧扬 路潇
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电 电磁脉冲 辐照效应 微处理器 敏感度
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: O441
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2006.10.016

摘要

为研究静电电磁脉冲(ESD EMP)对嵌入式微处理器(MPU)的影响,根据IEC61000-4-2标准,利用静电电磁脉冲电场测试系统对FPGA、CPLD、80C196单片机3种电路进行ESD EMP辐照效应试验,同时实测了耦合板周围电场强度,根据试验结果分析了故障原因.试验发现ESD EMP对MPU系统工作稳定性影响较大,使FPGA、CPLD、80C196单片机集成电路发生死机或重启故障的静电放电电压阈值分别为13、7和10 kV;3种微处理器对ESD EMP的敏感度序列为:CPLD＞80C196单片机＞FPGA.ESD EMP对MPU电路危害表现在放电的近场区,容易造成电子器件的击穿,而在远场区,主要是对电子设备造成高频干扰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	路潇	军械工程学院训练部	4	19	3.0	4.0