超长六角多型纳米SiC晶须的光学性质

• 作者: Bastian G Lemmer U 张洪涛 陈坤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶须 六角多型SiC 光学性质 量子光学
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 117-119
• 页数: 3页
• 分类号: TP211
• 字数: 1613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.028

摘要

采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18～50 nm之间,长度为0.3μm～6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550～620 nm和700～750 nm处分别出现两宽带发射,经计算其中蓝光发射带,4H-SiC带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符,说明了SiC晶须光学性质的特殊性.