ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性

• 作者: 常中坤 张永胜 张清杰 朱自强 李立君 欧阳世翕 王青艳 郁可
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米棒 图形化生长 场发射
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 84-86
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.020

摘要

介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能,即具有较低的开启电场和阈值电场,较高的发射点密度.