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摘要:
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低压条形栅功率场效应晶体管的研制
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 条形栅 VDMOS 功率场效应晶体管
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 205-207
页数 3页 分类号 TN386.1
字数 1736字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.052
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王立新 中国科学院微电子研究所 97 1160 17.0 30.0
2 陆江 中国科学院微电子研究所 12 42 4.0 6.0
3 廖太仪 中国科学院微电子研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
条形栅
VDMOS
功率场效应晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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