金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜

• 作者: 刘国军 叶志镇 吴贵斌 赵星 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导生长 超高真空化学气相沉积 异质生长 NiSi化物
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 721-724
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.027

摘要

采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生长参数变化的规律.结果表明,在温度高于510℃时,Ni金属诱导作用明显;生长压强为10Pa时,多晶GeSi能够形成连续致密的薄膜,而采用先低压(0.1Pa)后高压(10Pa)的生长方式,多晶GeSi呈现分离的晶须状,晶须尺寸多在100nm以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	赵星	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	116	4.0	10.0
5	刘国军	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	39	3.0	6.0