等离子体增强热丝CVD生长碳纳米尖端的研究

• 作者: 张兵 徐幸梓 王必本
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米尖端 等离子体 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 941-946
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.02.083

摘要

用CH4,NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在不同偏压电流的条件下制备了碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,随着偏压电流的增大,碳纳米尖端的顶角减小,生长速率增大.结合有关等离子体和溅射的理论,分析讨论了碳纳米尖端的形成和碳纳米尖端的生长随偏压电流的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王必本	北京工业大学应用数理学院	28	76	5.0	6.0
2	张兵	北京工业大学应用数理学院	23	79	5.0	7.0
3	徐幸梓	重庆大学材料科学与工程学院	15	63	4.0	7.0