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双极运算放大器辐射损伤的时间相关性
双极运算放大器辐射损伤的时间相关性
作者:
任迪远
刘刚
牛振红
陆妩
高嵩
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
双极运算放大器
辐射损伤
时间相关性
低剂量率
加速评估
摘要:
通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.
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辐射效应
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电子辐照
偏置条件
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内容分析
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篇名
双极运算放大器辐射损伤的时间相关性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
双极运算放大器
辐射损伤
时间相关性
低剂量率
加速评估
年,卷(期)
2006,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1280-1284
页数
5页
分类号
TN722.7+7
字数
4079字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.025
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陆妩
中国科学院新疆理化技术研究所
42
320
11.0
16.0
2
刘刚
中国科学院新疆理化技术研究所
207
2369
24.0
40.0
6
牛振红
中国科学院新疆理化技术研究所
8
34
4.0
5.0
10
任迪远
中国科学院新疆理化技术研究所
59
375
11.0
16.0
11
高嵩
中国科学院新疆理化技术研究所
11
64
5.0
7.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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共引文献
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参考文献
(11)
节点文献
引证文献
(5)
同被引文献
(4)
二级引证文献
(29)
1979(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1997(3)
参考文献(3)
二级参考文献(0)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(4)
引证文献(2)
二级引证文献(2)
2010(6)
引证文献(1)
二级引证文献(5)
2011(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2012(1)
引证文献(0)
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2013(2)
引证文献(0)
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辐射损伤
时间相关性
低剂量率
加速评估
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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