基于耦合式电平位移结构的高压集成电路

• 作者: 乔明 张波 方健 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 耦合式 电平位移 高压互连线 高压集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2040-2045
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.030

摘要

设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	乔明	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	178	8.0	12.0