表面钝化硅纳米线的能带结构

• 作者: 尤思宇 王燕
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米线 表面钝化 氟化 能带 σ-n杂化
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1927-1933
• 页数: 7页
• 分类号: O471.5
• 字数: 4258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.008

摘要

采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于H饱和硅纳米线,这一现象可用价带顶的σ-n杂化效应来解释.计算结果还表明,H或F饱和的(100)硅纳米线的极限--硅单原子链则表现为间接带隙半导体,文中对这一现象进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
2	尤思宇	清华大学微电子学研究所	1	3	1.0	1.0