Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性

• 作者: 左玉华 时文华 王启明 罗丽萍 赵雷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si Ge 纳米岛 退火 离子注入
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 136-139
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.033

摘要

通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	左玉华	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	18	70	6.0	7.0
3	罗丽萍	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	7	6	1.0	2.0
4	时文华	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	8	17	2.0	4.0
5	赵雷	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	25	210	9.0	14.0