非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用

• 作者: 屈新萍 李炳宗 茹国平 蒋玉龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化物 NiSi 非晶化注入 固相反应
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 385-388
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.095

摘要

在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学微电子学系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学微电子学系	21	90	5.0	9.0
4	蒋玉龙	复旦大学微电子学系	10	35	3.0	5.0