实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制

• 作者: 仲莉 冯小明 林涛 王俊 王勇刚 王翠鸾 郑凯 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 半导体激光器 1730nm波段 磷化铟
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1467-1470
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.026

摘要

报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求.