SiC肖特基接触的直接隧穿效应

• 作者: 张义门 张林 张玉明 汤晓燕 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 肖特基接触 直接隧穿 WKB近似
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 174-177
• 页数: 4页
• 分类号: TN311
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.034

摘要

通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应.结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续地计算热电子发射电流和隧穿电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	144	7.0	11.0
4	张林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	61	3.0	7.0
5	郭辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0