Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响

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AlxGa1-xN/GaN异质结构

二维电子气

输运性质

摘要：

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.

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篇名	Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
来源期刊	半导体学报	学科	物理学
关键词	AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气输运性质
年，卷（期）	2006,（2）	所属期刊栏目	研究论文
研究方向		页码范围	235-238
页数	4页	分类号	O47
字数	648字	语种	中文
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.007