In2O3纳米线制备及其特性

• 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 李亮 江若琏 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林 高超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: In2Oa 纳米线 X射线衍射 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 536-540
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.028

摘要

使用管式加热炉成功地制备出In2O3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In2O3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In2O3;X射线光电子谱分析发现该In2O3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In2O3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In2O3的光致发光机理进行了详细分析.