Cl2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺

• 作者: 刘北平 朱海波 李晓良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 感应耦合等离子体 GaN 刻蚀速率 Cl2/He Cl2/Ar
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1335-1338
• 页数: 4页
• 分类号: TN205
• 字数: 2689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.036

摘要

采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明,用Cl2/He气体刻蚀GaN材料可以获得较高的刻蚀速率,最高可达420nm/min.同时刻蚀后GaN材料的表面形貌也较为平整,均方根粗糙度(RMS)可达1nm以下.SEM图像显示刻蚀后表面光洁,刻蚀端面陡直.最后比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar刻蚀GaN基片的刻蚀速率、表面形貌,以及制作n型电极后的比接触电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘北平	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	27	3.0	5.0
5	李晓良	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	34	2.0	4.0
6	朱海波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	30	2.0	2.0