低损耗衬底上实现无源低通滤波器

• 作者: 刘泽文 刘理天 方杰 李志坚 赵嘉昊 陈忠民 韦嘉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LC低通滤波器 低损耗衬底 片上电感 RF
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1572-1577
• 页数: 6页
• 分类号: TN713
• 字数: 766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.011

摘要

分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子研究所	230	1519	19.0	23.0
2	赵嘉昊	清华大学材料科学与工程系	5	25	3.0	5.0
3	刘泽文	清华大学微电子研究所	50	169	7.0	10.0
4	李志坚	清华大学微电子研究所	84	451	11.0	15.0
5	韦嘉	清华大学微电子研究所	6	16	3.0	3.0
6	陈忠民	清华大学微电子研究所	7	11	2.0	3.0
7	方杰	清华大学微电子研究所	4	4	1.0	2.0