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原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
运用高选择比的特别配方来释放MEMS可变电容制作工艺中的牺牲层,以保护上级板金属铝层,同时很好地释放牺牲层磷硅玻璃.探讨了上级板的粘附问题,对工艺中影响成品率的关键因素残余应力进行了模拟,当温度T为350 ℃时,平面应力P为811.6 MPa;当温度T为500 ℃时,平面应力P为1 185.9 MPa.分析了残余应力对上级板的影响和对悬臂梁的等效弹性系数的影响.
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文献信息
篇名 微机械可变电容制作工艺中的牺牲层释放和残余应力分析
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 MEMS可变电容 牺牲层释放工艺 残余应力 磷硅玻璃
年,卷(期) 2006,(12) 所属期刊栏目 制造技术
研究方向 页码范围 140-143
页数 4页 分类号 TN0
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.12.052
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李锐 南京邮电大学光电工程学院 15 72 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
MEMS可变电容
牺牲层释放工艺
残余应力
磷硅玻璃
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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