基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究

• 作者: 丁建宁 凌智勇 朱守星 杨平 范真 解国新
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: AFM 信息存储 GeSbTe膜
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 132-134
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.02.035

摘要

针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方贩性的研究.比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨.试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平	江苏大学微纳米技术研究中心	39	198	8.0	11.0
2	凌智勇	江苏大学微纳米技术研究中心	54	400	12.0	17.0
3	丁建宁	江苏大学微纳米技术研究中心	146	769	14.0	19.0
4	范真	江苏大学微纳米技术研究中心	61	532	11.0	20.0
5	朱守星	东华大学机械工程学院	8	62	3.0	7.0
6	解国新	江苏大学微纳米技术研究中心	12	37	4.0	5.0