抗总剂量辐射0.8μm SOI CMOS器件与专用集成电路

• 作者: 刘忠立 张波 洪根深 肖志强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SIMOX 辐射 专用集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1750-1754
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.009

摘要

介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0.8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系来表征.实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于320mV,nMOS器件在开态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于120mV,器件在总剂量1Mrad(Si)辐射后没有观察到明显漏电,在总剂量500krad(Si)辐射下专用集成电路的静态电流小于5μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0