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摘要:
报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
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文献信息
篇名 X波段PHEMT功率单片放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 PHEMT X波段 MMIC 功率放大器
年,卷(期) 2006,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1800-1803
页数 4页 分类号 TN722.3
字数 1757字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学信息工程学院 180 759 13.0 18.0
2 杨克武 中国电子科技集团公司第十三研究所 26 186 6.0 13.0
3 张书敬 河北工业大学信息工程学院 6 39 4.0 6.0
7 武继斌 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 33 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
PHEMT
X波段
MMIC
功率放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
河北省自然科学基金
英文译名:
官方网址:
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