ITO薄膜的能带结构和电导特性

• 作者: 张治国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 能带结构 I-V特性
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 840-845
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 4722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.015

摘要

从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模型给出的值大体相当.分析了I-V特性的形成机制,证明了能带结构模型的合理性.最后,测量了ITO薄膜的温度特性,结果显示,方块电阻与温度的关系曲线斜率从正变化到负.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张治国	泉州师范学院功能材料研究所	16	31	2.0	5.0