反应溅射CN薄膜的场发射特性

• 作者: 张军 林洪峰 谢二庆 陈支勇 颜小琴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应溅射 CN薄膜 场发射
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 211-213
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.054

摘要

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张军	兰州大学物理科学与技术学院	65	414	11.0	18.0
3	林洪峰	兰州大学物理科学与技术学院	9	79	5.0	8.0
4	颜小琴	兰州大学物理科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
5	陈支勇	兰州大学物理科学与技术学院	2	1	1.0	1.0