InP胶体量子点的合成及光谱性质

• 作者: 吴启明 张建兵 张道礼 袁林 陈胜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP胶体量子点 纳米晶 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1213-1216
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.011

摘要

以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈胜	华中科技大学电子科学与技术系	60	570	13.0	22.0
2	袁林	华中科技大学电子科学与技术系	15	92	5.0	9.0
3	张道礼	华中科技大学电子科学与技术系	33	158	7.0	10.0
4	张建兵	华中科技大学电子科学与技术系	4	23	2.0	4.0
5	吴启明	华中科技大学电子科学与技术系	2	15	1.0	2.0