一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法

• 作者: 康仁科 赵福令 郭东明 金洙吉 霍凤伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 亚表面损伤 角度抛光 缺陷腐蚀 劈尖于涉
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 506-510
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.023

摘要

提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到.采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤,其能够测量的最小损伤深度为几百纳米.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵福令	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	84	1155	19.0	30.0
2	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
3	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
4	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
5	霍凤伟	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	9	154	7.0	9.0