氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析

• 作者: 于威 傅广生 张立 王保柱 王利伟 路万兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化纳米硅 螺旋波等离子体 能带结构
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1936-1941
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.064

摘要

℃.薄膜中氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度.升高衬底温度主要导致氢化纳米硅薄膜中纳米硅界面的键合氢含量增加,使薄膜光学带隙和带尾宽度呈减小趋势,该结果主要关联于键合氢对纳米晶粒表面悬键的中止作用.对应更高的衬底温度,因薄膜中的氢不能完全中止纳米晶粒界面的悬键,使薄膜能带带尾加宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	王保柱	河北大学物理科学与技术学院	5	62	4.0	5.0
4	张立	河北大学物理科学与技术学院	13	106	5.0	10.0
5	路万兵	河北大学物理科学与技术学院	17	86	6.0	9.0
6	王利伟	河北大学物理科学与技术学院	2	27	1.0	2.0