Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较

• 作者: 丁志博 傅竹西 姚淑德 朱俊杰 王坤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO/SiC/Si 卢瑟福背散射/沟道 高分辨X射线衍射 结构性质
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1386-1390
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.010

摘要

采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	丁志博	北京大学物理学院	7	63	4.0	7.0
3	姚淑德	北京大学物理学院	22	100	5.0	9.0
4	王坤	北京大学物理学院	23	206	7.0	14.0
5	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0