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1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源
1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源
作者:
秦波
贾晨
陈弘毅
陈志良
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非线性补偿
低电压基准源
高温度稳定性
摘要:
阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15~100℃变化时,输出电压在351.5~352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.
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文献信息
篇名
1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
非线性补偿
低电压基准源
高温度稳定性
年,卷(期)
2006,(11)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2035-2039
页数
5页
分类号
TN432.1
字数
2637字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.029
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈弘毅
清华大学微电子学研究所
88
919
19.0
27.0
2
陈志良
清华大学微电子学研究所
23
182
8.0
12.0
3
秦波
清华大学微电子学研究所
7
50
4.0
7.0
4
贾晨
清华大学微电子学研究所
18
126
7.0
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二级引证文献(9)
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低电压基准源
高温度稳定性
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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