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摘要:
阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15~100℃变化时,输出电压在351.5~352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 非线性补偿 低电压基准源 高温度稳定性
年,卷(期) 2006,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2035-2039
页数 5页 分类号 TN432.1
字数 2637字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈弘毅 清华大学微电子学研究所 88 919 19.0 27.0
2 陈志良 清华大学微电子学研究所 23 182 8.0 12.0
3 秦波 清华大学微电子学研究所 7 50 4.0 7.0
4 贾晨 清华大学微电子学研究所 18 126 7.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
非线性补偿
低电压基准源
高温度稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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